IRF7433 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7433  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF7433 datasheet

 ..1. Size:164K  international rectifier
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IRF7433

PD - 95305 IRF7433PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 24m @VGS = -4.5V -8.7A l Surface Mount 30m @VGS = -2.5V -7.4A l Available in Tape & Reel 46m @VGS = -1.8V -6.3A l Lead-Free Description A 1 8 S D These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to 2 7 S D achieve

 ..2. Size:105K  international rectifier
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IRF7433

PD -94056 IRF7433 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m @VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount 30m @VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel 46m @VGS = -1.8V -6.3A Description A 1 8 S D These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to 2 7 S D achieve the extremely low on-

 8.1. Size:149K  international rectifier
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IRF7433

PD - 9.1709 IRF7343 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFE T N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-C H ANN EL MO SFE T RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifie

 8.2. Size:482K  st
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