IRF7433PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7433PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
- Selección de transistores por parámetros
IRF7433PBF Datasheet (PDF)
irf7433pbf.pdf

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irf7433.pdf

PD -94056IRF7433HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3ADescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve the extremely low on-
irf7434.pdf

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History: IXTT82N25P | IRFZ24NLPBF | 6703 | AP75T10GP-HF | AP9410AGH | 2N7638-GA | SIS376DN
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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