IRF7493PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7493PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7493PBF-1

IRF7493PBF-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:218K international rectifier
irf7493pbf-1.pdf

IRF7493PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 80 VAA1 8S DRDS(on) max 15 m2 7(@V = 10V)GS S DQg (typical) 35 nC3 6S DID 4 59.3 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmenta

4.1. Size:159K international rectifier
irf7493pbf.pdf

PD - 95289IRF7493PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg (typ.)l High frequency DC-DC convertersl Lead-Free 15m @VGS=10V80V 35nCBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceAASwitching Losses1 8S Dl Fully Characterized Capacitance Including2 7S DEffective COSS to Simplify Design, (See3 6S DApp. Note AN1001)4 5l Fully Characterized Av

4.2. Size:159K infineon
irf7493pbf.pdf

7.1. Size:92K international rectifier
irf7493.pdf

PD - 94654PROVISIONALIRF7493HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters80V 15m @VGS = 10V 9.2ABenefitsAAl Low Gate to Drain Charge to Reduce 1 8S DSwitching Losses2 7S Dl Fully Characterized Capacitance Including3 6S DEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) 4 5G Dl Fully Characterized Avalanch

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