SIHF624S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHF624S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 14 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 77 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHF624S

SIHF624S Datasheet (PDF)

..1. Size:197K vishay
irf624spbf sihf624s.pdf

IRF624S, SiHF624SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of Paralleling Simple Drive R

7.1. Size:196K vishay
irf624 sihf624.pdf

IRF624, SiHF624Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 2.7 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 7.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDE

7.2. Size:196K vishay
irf624pbf sihf624.pdf

8.1. Size:162K vishay
sihf620s.pdf

IRF620S, SiHF620SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive RequirementsConfiguratio

8.2. Size:202K vishay
sihf620.pdf

IRF620, SiHF620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 7.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

8.3. Size:152K vishay
irf620 sihf620.pdf

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