SIHF624S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHF624S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-263
SIHF624S Datasheet (PDF)
irf624spbf sihf624s.pdf
IRF624S, SiHF624SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of Paralleling Simple Drive R
irf624 sihf624.pdf
IRF624, SiHF624Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 2.7 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 7.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDE
irf624pbf sihf624.pdf
IRF624, SiHF624Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 2.7 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 7.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDE
sihf620s.pdf
IRF620S, SiHF620SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive RequirementsConfiguratio
sihf620.pdf
IRF620, SiHF620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 7.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD
irf620 sihf620.pdf
IRF620, SiHF620Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.80RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 7.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918