SIHF630S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHF630S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SIHF630S MOSFET
SIHF630S Datasheet (PDF)
irf630spbf sihf630s.pdf

IRF630S, SiHF630SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleli
irf630s sihf630s.pdf

IRF630S, SiHF630SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleli
irf630pbf sihf630.pdf

IRF630, SiHF630Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.0Qgd (nC) 23 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD
irf630 sihf630.pdf

IRF630, SiHF630Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Fast Switching RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.0Qgd (nC) 23 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableDDESCRIPTIONTO-
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IXTP182N055T | FDC3512 | SIHF624S
History: IXTP182N055T | FDC3512 | SIHF624S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet