SIHF630S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF630S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF630S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF630S даташит
irf630spbf sihf630s.pdf
IRF630S, SiHF630S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 23 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleli
irf630s sihf630s.pdf
IRF630S, SiHF630S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 23 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleli
irf630pbf sihf630.pdf
IRF630, SiHF630 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 43 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 7.0 Qgd (nC) 23 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D
irf630 sihf630.pdf
IRF630, SiHF630 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Fast Switching RoHS* Qg (Max.) (nC) 43 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 7.0 Qgd (nC) 23 Simple Drive Requirements Configuration Single Lead (Pb)-free Available D DESCRIPTION TO-
Другие IGBT... SIHF610S, SIHF614, SIHF614S, SIHF620, SIHF620S, SIHF624, SIHF624S, SIHF630, IRF9540N, SIHF634, SIHF634S, SIHF640, SIHF640L, SIHF640S, SIHF644, SIHF644S, SIHF6N40D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet









