Справочник MOSFET. SIHF630S

 

SIHF630S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF630S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHF630S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF630S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  vishay
irf630spbf sihf630s.pdfpdf_icon

SIHF630S

IRF630S, SiHF630SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleli

 ..2. Size:170K  vishay
irf630s sihf630s.pdfpdf_icon

SIHF630S

IRF630S, SiHF630SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleli

 7.1. Size:203K  vishay
irf630pbf sihf630.pdfpdf_icon

SIHF630S

IRF630, SiHF630Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.0Qgd (nC) 23 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 7.2. Size:575K  vishay
irf630 sihf630.pdfpdf_icon

SIHF630S

IRF630, SiHF630Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Fast Switching RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.0Qgd (nC) 23 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Lead (Pb)-free AvailableDDESCRIPTIONTO-

Другие MOSFET... SIHF610S , SIHF614 , SIHF614S , SIHF620 , SIHF620S , SIHF624 , SIHF624S , SIHF630 , IRF1010E , SIHF634 , SIHF634S , SIHF640 , SIHF640L , SIHF640S , SIHF644 , SIHF644S , SIHF6N40D .

History: SSD30N10-70D | NCEP048NH150 | WTD40N03 | NCEP040N85M | JST150N30T2 | SM1A25NSV

 

 
Back to Top

 


 
.