SIHF634S Todos los transistores

 

SIHF634S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF634S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SIHF634S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  vishay
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SIHF634S

IRF634S, SiHF634SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 41 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 6.5 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

 ..2. Size:193K  vishay
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SIHF634S

IRF634S, SiHF634SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 250 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 41 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 6.5 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

 7.1. Size:153K  vishay
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SIHF634S

IRF634, SiHF634Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 41COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 6.5Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 7.2. Size:158K  vishay
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SIHF634S

IRF634N, IRF634NL, IRF634NS, SiHF634N, SiHF634NL, SiHF634NSVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 250 Dynamic dV/dt Rating AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.435 175 C Operating TemperatureRoHS* Fast Switching COMPLIANTQg (Max.) (nC) 34 Fully Avalanche RatedQgs (nC) 6.5 Ease of ParallelingQgd (nC

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History: BL5N135-W

 

 
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