SIHF634S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF634S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF634S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF634S даташит
irf634s sihf634s.pdf
IRF634S, SiHF634S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 250 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.45 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 41 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 6.5 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 22 Fast Switching Ease of Paralleling Configuration Sing
irf634spbf sihf634s.pdf
IRF634S, SiHF634S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 250 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.45 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 41 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 6.5 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 22 Fast Switching Ease of Paralleling Configuration Sing
irf634pbf sihf634.pdf
IRF634, SiHF634 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.45 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 6.5 Qgd (nC) 22 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D
irf634n irf634nl irf634ns sihf634n sihf634nl sihf634ns.pdf
IRF634N, IRF634NL, IRF634NS, SiHF634N, SiHF634NL, SiHF634NS Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) 250 Dynamic dV/dt Rating Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.435 175 C Operating Temperature RoHS* Fast Switching COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 34 Fully Avalanche Rated Qgs (nC) 6.5 Ease of Paralleling Qgd (nC
Другие IGBT... SIHF614S, SIHF620, SIHF620S, SIHF624, SIHF624S, SIHF630, SIHF630S, SIHF634, IRLB4132, SIHF640, SIHF640L, SIHF640S, SIHF644, SIHF644S, SIHF6N40D, SIHF6N65E, SIHF710
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet





