SIHF830L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHF830L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-262

 Búsqueda de reemplazo de SIHF830L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIHF830L datasheet

 ..1. Size:174K  vishay
irf830lpbf irf830spbf sihf830l.pdf pdf_icon

SIHF830L

IRF830S, SiHF830S, IRF830L, SiHF830L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 500 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 38 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 5.0 Fast switching Available Qgd (nC) 22 Ease of paralleling Configuration Single

 ..2. Size:234K  vishay
irf830s sihf830s irf830l sihf830l.pdf pdf_icon

SIHF830L

 7.1. Size:207K  vishay
irf830alpbf irf830aspbf sihf830al sihf830as.pdf pdf_icon

SIHF830L

IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 500 Definition RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 1.40 Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 24 Requirement Qgs (nC) 6.3 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterize

 7.2. Size:1091K  vishay
irf830a sihf830a.pdf pdf_icon

SIHF830L

IRF830A, SiHF830A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.4 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 6.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 11 and Current Configurati

Otros transistores... SIHF820AL, SIHF820AS, SIHF820L, SIHF820S, SIHF830, SIHF830A, SIHF830AL, SIHF830AS, IRF520, SIHF830S, SIHF840, SIHF840A, SIHF840AL, SIHF840AS, SIHF840L, SIHF840LC, SIHF840LCL