SIHF9Z22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHF9Z22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHF9Z22

SIHF9Z22 Datasheet (PDF)

..1. Size:1161K vishay
sihf9z22.pdf

IRF9Z22, SiHF9Z22Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.33RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 26 COMPLIANT Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature StabilityConfiguration SingleDESCRIPTIONS

7.1. Size:196K vishay
irf9z24 sihf9z24.pdf

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

7.2. Size:197K vishay
irf9z24pbf sihf9z24.pdf

7.3. Size:1215K vishay
irf9z20pbf sihf9z20.pdf

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

7.4. Size:167K vishay
irf9z24s sihf9z24s irf9z24l sihf9z24l.pdf

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

7.5. Size:1213K vishay
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