SIHF9Z22 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHF9Z22

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de SIHF9Z22 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIHF9Z22 datasheet

 ..1. Size:1161K  vishay
 sihf9z22.pdf pdf_icon

SIHF9Z22

IRF9Z22, SiHF9Z22 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY P-Channel Versatility VDS (V) - 50 Available Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.33 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 26 COMPLIANT Low Drive Current Qgs (nC) 6.2 Ease of Paralleling Qgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Configuration Single DESCRIPTION S

 7.1. Size:196K  vishay
 irf9z24 sihf9z24.pdf pdf_icon

SIHF9Z22

IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require

 7.2. Size:197K  vishay
 irf9z24pbf sihf9z24.pdf pdf_icon

SIHF9Z22

IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require

 7.3. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf pdf_icon

SIHF9Z22

IRF9Z20, SiHF9Z20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY P-Channel Versatility VDS (V) - 50 Available Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* Fast Switching COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 26 Low Drive Current Qgs (nC) 6.2 Ease of Paralleling Qgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHF9640, SIHF9640L, SIHF9640S, SIHF9Z10, SIHF9Z14, SIHF9Z14L, SIHF9Z14S, SIHF9Z20, IRF540N, SIHF9Z24, SIHF9Z24L, SIHF9Z24S, SIHF9Z30, SIHF9Z34, SIHF9Z34L, SIHF9Z34S, SIHFB13N50A