SIHF9Z34L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHF9Z34L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 88 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 34 nC
   Tiempo de subida (tr): 120 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHF9Z34L

SIHF9Z34L Datasheet (PDF)

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IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9

..2. Size:193K vishay
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6.1. Size:197K vishay
irf9z34 sihf9z34.pdf

IRF9Z34, SiHF9Z34Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 P-Channel RoHS*Qg (Max.) (nC) 34COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9 Fast SwitchingQgd (nC) 16 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme

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IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com

7.2. Size:133K vishay
sihf9z30.pdf

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