SIHF9Z34L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHF9Z34L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 620 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO-262
SIHF9Z34L Datasheet (PDF)
irf9z34s sihf9z34s irf9z34l sihf9z34l.pdf
IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9
irf9z34spbf sihf9z34l sihf9z34s.pdf
IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9
irf9z34 sihf9z34.pdf
IRF9Z34, SiHF9Z34Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 P-Channel RoHS*Qg (Max.) (nC) 34COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9 Fast SwitchingQgd (nC) 16 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme
irf9z34pbf sihf9z34.pdf
IRF9Z34, SiHF9Z34Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 P-Channel RoHS*Qg (Max.) (nC) 34COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9 Fast SwitchingQgd (nC) 16 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme
irf9z30 sihf9z30.pdf
IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com
sihf9z30.pdf
IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C