SIHFD110 Todos los transistores

 

SIHFD110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFD110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

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SIHFD110 Datasheet (PDF)

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IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

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IRFD110, SiHFD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.3COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.3Qgd (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switching and Ease of Parall

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IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

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IRFD113, SiHFD113www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 60 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.8 End StackableQg (Max.) (nC) 7 Fast SwitchingQgs (nC) 2Qgd (nC) 7 Low Drive CurrentConfiguration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

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History: AP4N1R8CMT-A | 3N70L-TN3-R

 

 
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