SIHFD110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFD110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: HVMDIP

Аналог (замена) для SIHFD110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFD110 даташит

 ..1. Size:147K  vishay
irfd110 sihfd110.pdfpdf_icon

SIHFD110

IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall

 ..2. Size:149K  vishay
irfd110pbf sihfd110.pdfpdf_icon

SIHFD110

IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall

 7.1. Size:243K  vishay
irfd113pbf sihfd113.pdfpdf_icon

SIHFD110

IRFD113, SiHFD113 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) 60 Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.8 End Stackable Qg (Max.) (nC) 7 Fast Switching Qgs (nC) 2 Qgd (nC) 7 Low Drive Current Configuration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

 7.2. Size:243K  vishay
irfd113 sihfd113.pdfpdf_icon

SIHFD110

IRFD113, SiHFD113 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) 60 Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.8 End Stackable Qg (Max.) (nC) 7 Fast Switching Qgs (nC) 2 Qgd (nC) 7 Low Drive Current Configuration Single Easily Paralleled Excellent Temperature Stability Compliant to Ro

Другие IGBT... SIHFBF20S, SIHFBF30, SIHFBF30S, SIHFBG20, SIHFBG30, SIHFD014, SIHFD020, SIHFD024, 5N65, SIHFD113, SIHFD120, SIHFD210, SIHFD214, SIHFD220, SIHFD224, SIHFD310, SIHFD320