SIHFD214 Todos los transistores

 

SIHFD214 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFD214
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

 Búsqueda de reemplazo de SIHFD214 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIHFD214 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  vishay
irfd214 sihfd214.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD214, SiHFD214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 ..2. Size:1261K  vishay
irfd214pbf sihfd214.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD214, SiHFD214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 7.1. Size:1702K  vishay
irfd210 sihfd210.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 7.2. Size:1704K  vishay
irfd210pbf sihfd210.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

Otros transistores... SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , SIHFD024 , SIHFD110 , SIHFD113 , SIHFD120 , SIHFD210 , AO4407 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 , SIHFD320 , SIHFD420 , SIHFD9010 , SIHFD9014 , SIHFD9024 .

History: 2SK2313 | AF10N65S | ELM33401CA-S | P0660EI | DH026N06F | APT19M120J | 2SK701

 

 
Back to Top

 


 
.