SIHFD214 - аналоги и даташиты транзистора

 

SIHFD214 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHFD214
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHFD214

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFD214 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  vishay
 irfd214 sihfd214.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD214, SiHFD214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 ..2. Size:1261K  vishay
 irfd214pbf sihfd214.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD214, SiHFD214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 7.1. Size:1702K  vishay
 irfd210 sihfd210.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 7.2. Size:1704K  vishay
 irfd210pbf sihfd210.pdf pdf_icon

SIHFD214

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , SIHFD024 , SIHFD110 , SIHFD113 , SIHFD120 , SIHFD210 , STP80NF70 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 , SIHFD320 , SIHFD420 , SIHFD9010 , SIHFD9014 , SIHFD9024 .

History: 8N60L-TF1-T | MPVA12N65F

 

 
Back to Top

 


 
.