SIHFD9010 Todos los transistores

 

SIHFD9010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFD9010
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

 Búsqueda de reemplazo de SIHFD9010 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIHFD9010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  vishay
 irfd9010pbf sihfd9010.pdf pdf_icon

SIHFD9010

IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

 ..2. Size:129K  vishay
 sihfd9010 irfd9010.pdf pdf_icon

SIHFD9010

IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

 6.1. Size:1751K  vishay
 irfd9014pbf sihfd9014.pdf pdf_icon

SIHFD9010

IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

 6.2. Size:1750K  vishay
 irfd9014 sihfd9014.pdf pdf_icon

SIHFD9010

IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHFD120 , SIHFD210 , SIHFD214 , SIHFD220 , SIHFD224 , SIHFD310 , SIHFD320 , SIHFD420 , TK10A60D , SIHFD9014 , SIHFD9024 , SIHFD9110 , SIHFD9120 , SIHFD9210 , SIHFD9220 , SIHFDC20 , SIHFI510G .

History: RJK0660DPA

 

 
Back to Top

 


History: RJK0660DPA

SIHFD9010   SIHFD9010   SIHFD9010  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP20P30S | AP20N100Q | AP20N06T | AP2080Q | AP2080KA | AP2055K | AP2045KD | AP2035Q | AP2035G | AP2022S | AP2012S | AP2012 | AP200N04D | AP200N04 | AP2003 | AP18P30Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350

 


 
.