Справочник MOSFET. SIHFD9010

 

SIHFD9010 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHFD9010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP

 Аналог (замена) для SIHFD9010

 

 

SIHFD9010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  vishay
 irfd9010pbf sihfd9010.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

 ..2. Size:129K  vishay
 sihfd9010 irfd9010.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

 6.1. Size:1751K  vishay
 irfd9014pbf sihfd9014.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

 6.2. Size:1750K  vishay
 irfd9014 sihfd9014.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

 7.1. Size:1688K  vishay
 irfd9024 sihfd9024.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9024, SiHFD9024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 19COMPLIANT End StackableQgs (nC) 5.4 P-ChannelQgd (nC) 11 Fast SwitchingConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 7.2. Size:1690K  vishay
 irfd9024pbf sihfd9024.pdf

SIHFD9010 SIHFD9010

IRFD9024, SiHFD9024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 19COMPLIANT End StackableQgs (nC) 5.4 P-ChannelQgd (nC) 11 Fast SwitchingConfiguration Single 175 C Operating Temperature

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top