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SIHFD9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFD9110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

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SIHFD9110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1639K  vishay
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SIHFD9110

IRFD9110, SiHFD9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.2 P-ChannelQgd (nC) 4.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

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SIHFD9110

IRFD9110, SiHFD9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.2 P-ChannelQgd (nC) 4.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

 7.1. Size:2027K  vishay
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SIHFD9110

IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin

 7.2. Size:2028K  vishay
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SIHFD9110

IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin

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History: HGP320N20S | STD60NF3LLT4 | GSM8823 | GP1M013A050XX | STF34N65M5 | AM90N06-03B | FQT4N20TF

 

 
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