SIHFD9110 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFD9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: HVMDIP
Аналог (замена) для SIHFD9110
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFD9110 даташит
irfd9110 sihfd9110.pdf
IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin
irfd9110pbf sihfd9110.pdf
IRFD9110, SiHFD9110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.2 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.2 P-Channel Qgd (nC) 4.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin
irfd9120 sihfd9120.pdf
IRFD9120, SiHFD9120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 9.0 P-Channel Configuration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin
irfd9120pbf sihfd9120.pdf
IRFD9120, SiHFD9120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 9.0 P-Channel Configuration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin
Другие IGBT... SIHFD220, SIHFD224, SIHFD310, SIHFD320, SIHFD420, SIHFD9010, SIHFD9014, SIHFD9024, 4N60, SIHFD9120, SIHFD9210, SIHFD9220, SIHFDC20, SIHFI510G, SIHFI520G, SIHFI530G, SIHFI540G
History: RJK0855DPB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent





