SIHFI9540G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFI9540G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFI9540G

SIHFI9540G Datasheet (PDF)

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IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

..2. Size:943K vishay
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7.1. Size:1446K vishay
irfi9520g sihfi9520g.pdf

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

7.2. Size:1458K vishay
irfi9530g sihfi9530g.pdf

IRFI9530G, SiHFI9530GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.30RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 6.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 21 Dynamic dV/

7.3. Size:1448K vishay
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