Справочник MOSFET. SIHFI9540G

 

SIHFI9540G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI9540G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9540G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:944K  vishay
 irfi9540g-pbf sihfi9540g.pdf pdf_icon

SIHFI9540G

IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

 ..2. Size:943K  vishay
 irfi9540g sihfi9540g.pdf pdf_icon

SIHFI9540G

IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

 7.1. Size:1446K  vishay
 irfi9520g sihfi9520g.pdf pdf_icon

SIHFI9540G

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 7.2. Size:1458K  vishay
 irfi9530g sihfi9530g.pdf pdf_icon

SIHFI9540G

IRFI9530G, SiHFI9530GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.30RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 6.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 21 Dynamic dV/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2275 | RU15P12C | SQ7414CENW | FC591301 | ISCNH340B | MTP10N10ELG | UF1010A

 

 
Back to Top

 


 
.