SIHFIBC40GLC Todos los transistores

 

SIHFIBC40GLC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFIBC40GLC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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SIHFIBC40GLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1603K  vishay
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SIHFIBC40GLC

IRFIBC40GLC, SiHFIBC40GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 19 Low Thermal ResistanceConfigurati

 ..2. Size:1601K  vishay
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SIHFIBC40GLC

IRFIBC40GLC, SiHFIBC40GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 19 Low Thermal ResistanceConfigurati

 4.1. Size:1443K  vishay
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SIHFIBC40GLC

IRFIBC40G, SiHFIBC40GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available Low Thermal ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 60 COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 8.3f = 60 Hz)Qgd (nC) 30 Dynamic dV/dt RatingConfiguration Sing

 4.2. Size:1441K  vishay
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SIHFIBC40GLC

IRFIBC40G, SiHFIBC40GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available Low Thermal ResistanceRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 60 COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 8.3f = 60 Hz)Qgd (nC) 30 Dynamic dV/dt RatingConfiguration Sing

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