SIHFIZ48G Todos los transistores

 

SIHFIZ48G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFIZ48G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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SIHFIZ48G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  vishay
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SIHFIZ48G

IRFIZ48G, SiHFIZ48GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 110 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 36 Dynamic dV/dt RatingConfigura

 ..2. Size:1443K  vishay
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SIHFIZ48G

IRFIZ48G, SiHFIZ48GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 110 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 36 Dynamic dV/dt RatingConfigura

 7.1. Size:1392K  vishay
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SIHFIZ48G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

 7.2. Size:1390K  vishay
 irfiz44g sihfiz44g.pdf pdf_icon

SIHFIZ48G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

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