Справочник MOSFET. SIHFIZ48G

 

SIHFIZ48G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFIZ48G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFIZ48G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFIZ48G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  vishay
irfiz48g sihfiz48g.pdfpdf_icon

SIHFIZ48G

IRFIZ48G, SiHFIZ48GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 110 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 36 Dynamic dV/dt RatingConfigura

 ..2. Size:1443K  vishay
sihfiz48g.pdfpdf_icon

SIHFIZ48G

IRFIZ48G, SiHFIZ48GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 110 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 29 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 36 Dynamic dV/dt RatingConfigura

 7.1. Size:1392K  vishay
sihfiz44g.pdfpdf_icon

SIHFIZ48G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

 7.2. Size:1390K  vishay
irfiz44g sihfiz44g.pdfpdf_icon

SIHFIZ48G

IRFIZ44G, SiHFIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.028f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 95COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 27 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 46 Dynamic dV/dt RatingConfigurat

Другие MOSFET... SIHFIBE20G , SIHFIBE30G , SIHFIBF20G , SIHFIBF30G , SIHFIZ14G , SIHFIZ24G , SIHFIZ34G , SIHFIZ44G , IRF640 , SIHFL014 , SIHFL110 , SIHFL210 , SIHFL214 , SIHFL9014 , SIHFL9110 , SIHFP048 , SIHFP048R .

History: STW29NK50Z | 2SK3527-01 | FQT3P20TF | NCEP0178 | 2SK1211 | PNMTO600V7 | SMIRF5N65TBRL

 

 
Back to Top

 


 
.