SIHFL9110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFL9110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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SIHFL9110 datasheet

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SIHFL9110

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SIHFL9110

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SIHFL9110

IRFL9014, SiHFL9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.8 Repetitive Avalanche Rated P-Channel Qgd (nC) 5.1 Fast Switching Configuration Single

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SIHFL9110

IRFL9014, SiHFL9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.8 Repetitive Avalanche Rated P-Channel Qgd (nC) 5.1 Fast Switching Configuration Single

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