SIHFL9110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFL9110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для SIHFL9110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFL9110 даташит

 ..1. Size:1443K  vishay
 irfl9110 sihfl9110.pdf pdf_icon

SIHFL9110

 ..2. Size:1444K  vishay
 sihfl9110.pdf pdf_icon

SIHFL9110

 8.1. Size:169K  vishay
 sihfl9014.pdf pdf_icon

SIHFL9110

IRFL9014, SiHFL9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.8 Repetitive Avalanche Rated P-Channel Qgd (nC) 5.1 Fast Switching Configuration Single

 8.2. Size:168K  vishay
 irfl9014 sihfl9014.pdf pdf_icon

SIHFL9110

IRFL9014, SiHFL9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.8 Repetitive Avalanche Rated P-Channel Qgd (nC) 5.1 Fast Switching Configuration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFIZ34G, SIHFIZ44G, SIHFIZ48G, SIHFL014, SIHFL110, SIHFL210, SIHFL214, SIHFL9014, IRF640N, SIHFP048, SIHFP048R, SIHFP054, SIHFP064, SIHFP140, SIHFP150, SIHFP17N50L, SIHFP21N60L