IRF7606PBF Todos los transistores

 

IRF7606PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7606PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7606PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  international rectifier
 irf7606pbf.pdf pdf_icon

IRF7606PBF

PD - 95245IRF7606PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 8l Ultra Low On-ResistanceS Dl P-Channel MOSFET2 7 VDSS = -30VS Dl Very Small SOIC Package3 6S Dl Low Profile (

 7.1. Size:102K  international rectifier
 irf7606.pdf pdf_icon

IRF7606PBF

PD - 9.1264CIRF7606HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA1 8 Ultra Low On-ResistanceS D P-Channel MOSFET2 7 VDSS = -30VS D Very Small SOIC Package3 6S D Low Profile (

 8.1. Size:1300K  international rectifier
 irf7603pbf.pdf pdf_icon

IRF7606PBF

PD- 95347IRF7603PbF Lead-Freewww.irf.com 102/22/05IRF7603PbF2 www.irf.comIRF7603PbFwww.irf.com 3IRF7603PbF4 www.irf.comIRF7603PbFwww.irf.com 5IRF7603PbF6 www.irf.comIRF7603PbFMicro8 Package OutlineDimensions are shown in milimeters (inches)LEAD ASSIGNMENTS INCHES MILLIMETERSD DIM MIN MAX MIN MAX3- B -D D D D D1 D1 D2 D2A .036 .044 0.91

 8.2. Size:116K  international rectifier
 irf7601.pdf pdf_icon

IRF7606PBF

PD - 9.1261DIRF7601HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyAA Ultra Low On-Resistance1 8S D N-Channel MOSFETVDSS = 20V2 7S D Very Small SOIC Package3 6 Low Profile (

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History: BSS138W | GSM2341 | RRL025P03 | 2N4867 | 2SK2797 | BSS123A | WMB129N10T2

 

 
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