IRL620A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRL620A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO220
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IRL620A datasheet
irl620spbf.pdf
PD- 95591 IRL620SPbF Lead-Free 07/21/04 Document Number 91302 www.vishay.com 1 IRL620SPbF Document Number 91302 www.vishay.com 2 IRL620SPbF Document Number 91302 www.vishay.com 3 IRL620SPbF Document Number 91302 www.vishay.com 4 IRL620SPbF Document Number 91302 www.vishay.com 5 IRL620SPbF Document Number 91302 www.vishay.com 6 IRL620SPbF Peak Diode Recovery
irl620s.pdf
PD -9.1218 IRL620S HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel VDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated RDS(on) = 0.80 Logic-Level Gate Drive RDS(on) Specified at VGS=4V & 5V Fast Switching ID = 5.2A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized
irl620.pdf
PD -9.1217 IRL620 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 200V Logic-Level Gate Drive RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V RDS(on) = 0.80 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 5.2A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rug
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History: SVF7N60CK
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Liste
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