IRF7769L2TR1PBF Todos los transistores

 

IRF7769L2TR1PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7769L2TR1PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7769L2TR1PBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:235K  international rectifier
 irf7769l2tr1pbf irf7769l2trpbf.pdf pdf_icon

IRF7769L2TR1PBF

PD - 97413BIRF7769L2TRPbFIRF7769L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated ConverterVDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket100V min 20V max 2.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Co

 3.1. Size:448K  infineon
 auirf7769l2tr.pdf pdf_icon

IRF7769L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg (typ

 5.1. Size:270K  international rectifier
 auirf7769l2.pdf pdf_icon

IRF7769L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7769L2TRAutomotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS Advanced Process Technology 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.2.8mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power DensityID (Silicon Limited)124A Low Parasitic ParametersQg 200nC Dual Sid

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History: SHD230302 | APT30N60KC6 | IRF1405ZL | DH10H035R | 2SK1945-01S | SSFM3008L | AP02N60I-A-HF

 

 
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