Справочник MOSFET. IRF7769L2TR1PBF

 

IRF7769L2TR1PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7769L2TR1PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для IRF7769L2TR1PBF

 

 

IRF7769L2TR1PBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:235K  international rectifier
 irf7769l2tr1pbf irf7769l2trpbf.pdf

IRF7769L2TR1PBF IRF7769L2TR1PBF

PD - 97413BIRF7769L2TRPbFIRF7769L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated ConverterVDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket100V min 20V max 2.8m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Co

 3.1. Size:448K  infineon
 auirf7769l2tr.pdf

IRF7769L2TR1PBF IRF7769L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg (typ

 5.1. Size:270K  international rectifier
 auirf7769l2.pdf

IRF7769L2TR1PBF IRF7769L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7769L2TRAutomotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS Advanced Process Technology 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.2.8mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power DensityID (Silicon Limited)124A Low Parasitic ParametersQg 200nC Dual Sid

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top