IRF7799L2TR1PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7799L2TR1PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 606 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF7799L2TR1PBF datasheet

 3.1. Size:442K  infineon
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IRF7799L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7799L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 32m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 38m High Power Density ID (Silicon Limited) 35A Low Parasitic Parameters Qg (typica

 5.1. Size:263K  international rectifier
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IRF7799L2TR1PBF

PD - 96421 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7799L2TR AUIRF7799L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 32m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 38m High Power Density ID (Silicon Limited) 35A Low Parasitic Parameters

 5.2. Size:262K  international rectifier
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IRF7799L2TR1PBF

IRF7799L2PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) VDSS VGS RDS(on) l Ideal for High Performance Isolated Converter 250V min 30V max 32m @ 10V Primary Switch Socket Qg tot Qgd Vgs(th) l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses 110nC 39nC 4.0V

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