Справочник MOSFET. IRF7799L2TR1PBF

 

IRF7799L2TR1PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7799L2TR1PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
   Время нарастания (tr): 33.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 606 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для IRF7799L2TR1PBF

 

 

IRF7799L2TR1PBF Datasheet (PDF)

 3.1. Size:442K  infineon
auirf7799l2tr.pdf

IRF7799L2TR1PBF
IRF7799L2TR1PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7799L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 32m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 38m High Power Density ID (Silicon Limited) 35A Low Parasitic Parameters Qg (typica

 5.1. Size:263K  international rectifier
auirf7799l2.pdf

IRF7799L2TR1PBF
IRF7799L2TR1PBF

PD - 96421AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7799L2TRAUIRF7799L2TR1Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.32mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profilemax. 38m High Power DensityID (Silicon Limited)35A Low Parasitic Parameters

 5.2. Size:262K  international rectifier
irf7799l2pbf.pdf

IRF7799L2TR1PBF
IRF7799L2TR1PBF

IRF7799L2PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)VDSS VGS RDS(on) l Ideal for High Performance Isolated Converter250V min 30V max 32m@ 10V Primary Switch SocketQg tot Qgd Vgs(th) l Optimized for Synchronous Rectificationl Low Conduction Losses110nC 39nC 4.0V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top