IRF7799L2TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7799L2TRPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 606 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7799L2TRPBF
IRF7799L2TRPBF Datasheet (PDF)
auirf7799l2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7799L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 32m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 38m High Power Density ID (Silicon Limited) 35A Low Parasitic Parameters Qg (typica
auirf7799l2.pdf
PD - 96421AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7799L2TRAUIRF7799L2TR1Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.32mother Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profilemax. 38m High Power DensityID (Silicon Limited)35A Low Parasitic Parameters
irf7799l2pbf.pdf
IRF7799L2PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)VDSS VGS RDS(on) l Ideal for High Performance Isolated Converter250V min 30V max 32m@ 10V Primary Switch SocketQg tot Qgd Vgs(th) l Optimized for Synchronous Rectificationl Low Conduction Losses110nC 39nC 4.0V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918