2SJ324 Todos los transistores

 

2SJ324 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ324
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ324 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: 2SJ324

 ..1. Size:344K  nec
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2SJ324

 0.1. Size:1872K  renesas
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2SJ324

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:94K  sanyo
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2SJ324

Ordering number EN4615A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ320 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ320] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO

 9.2. Size:342K  nec
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2SJ324

Otros transistores... 2SJ209 , 2SJ210 , 2SJ211 , 2SJ212 , 2SJ218 , 2SJ243 , 2SJ302 , 2SJ303 , IRFB3607 , 2SJ325 , 2SJ326 , 2SJ327 , 2SJ328 , 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 .

 

 
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