2SJ324 - описание и поиск аналогов

 

2SJ324. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ324

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SJ324

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ324 даташит

 ..1. Size:344K  nec
2sj324.pdfpdf_icon

2SJ324

 0.1. Size:1872K  renesas
2sj324-z.pdfpdf_icon

2SJ324

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:94K  sanyo
2sj320.pdfpdf_icon

2SJ324

Ordering number EN4615A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ320 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ320] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO

 9.2. Size:342K  nec
2sj327-z.pdfpdf_icon

2SJ324

Другие MOSFET... 2SJ209 , 2SJ210 , 2SJ211 , 2SJ212 , 2SJ218 , 2SJ243 , 2SJ302 , 2SJ303 , IRFB3607 , 2SJ325 , 2SJ326 , 2SJ327 , 2SJ328 , 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 .

History: BLF6G27S-45 | AP6N2R0P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.