IRF8113PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF8113PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF8113PBF-1

IRF8113PBF-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:249K international rectifier
irf8113pbf-1.pdf

IRF8113PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 5.62 7S D(@V = 10V)GSm3 6RDS(on) max S D6.8(@V = 4.5V)GS 4 5G DQg (typical) 24 nCSO-8ID Top View17.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH

4.1. Size:218K international rectifier
irf8113pbf.pdf

PD - 95138BIRF8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltag

7.1. Size:267K international rectifier
irf8113.pdf

PD - 94637BIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S D3l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

7.2. Size:286K international rectifier
irf8113gpbf.pdf

PD - 96251IRF8113GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8l Lead-Free S D2 7l Halogen-FreeS D3 6S DBenefits4 5G Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Charge SO-8Top

7.3. Size:207K infineon
irf8113.pdf

PD - 94637AIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters in NetworkingAA1 8Systems S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

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Liste

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