Справочник MOSFET. IRF8113PBF-1

 

IRF8113PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF8113PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF8113PBF-1

 

 

IRF8113PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irf8113pbf-1.pdf

IRF8113PBF-1 IRF8113PBF-1

IRF8113PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 5.62 7S D(@V = 10V)GSm3 6RDS(on) max S D6.8(@V = 4.5V)GS 4 5G DQg (typical) 24 nCSO-8ID Top View17.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH

 4.1. Size:218K  international rectifier
 irf8113pbf.pdf

IRF8113PBF-1 IRF8113PBF-1

PD - 95138BIRF8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltag

 7.1. Size:267K  international rectifier
 irf8113.pdf

IRF8113PBF-1 IRF8113PBF-1

PD - 94637BIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S D3l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

 7.2. Size:286K  international rectifier
 irf8113gpbf.pdf

IRF8113PBF-1 IRF8113PBF-1

PD - 96251IRF8113GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m @VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8l Lead-Free S D2 7l Halogen-FreeS D3 6S DBenefits4 5G Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Charge SO-8Top

 7.3. Size:207K  infineon
 irf8113.pdf

IRF8113PBF-1 IRF8113PBF-1

PD - 94637AIRF8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook5.6m:@VGS = 10V30V 24nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters in NetworkingAA1 8Systems S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Low Gate Charge45G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top