SIHFP240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFP240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFP240

SIHFP240 Datasheet (PDF)

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irfp240 sihfp240.pdf

IRFP240, SiHFP240Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 70 Fast SwitchingQgs (nC) 13 Ease of ParallelingQgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

..2. Size:1603K vishay
sihfp240.pdf

7.1. Size:902K vishay
irfp244 sihfp244.pdf

IRFP244, SiHFP244Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 63 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration

7.2. Size:258K vishay
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