SIHFP240 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHFP240 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHFP240
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP240

SIHFP240 Datasheet (PDF)

..1. Size:1596K vishay
irfp240 sihfp240.pdf

IRFP240, SiHFP240Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 70 Fast SwitchingQgs (nC) 13 Ease of ParallelingQgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

..2. Size:1603K vishay
sihfp240.pdf

7.1. Size:902K vishay
irfp244 sihfp244.pdf

IRFP244, SiHFP244Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 63 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration

7.2. Size:258K vishay
sihfp244.pdf