SIHFPC60 Todos los transistores

 

SIHFPC60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFPC60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHFPC60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2429K  vishay
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SIHFPC60

IRFPC60, SiHFPC60Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 26 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compl

 ..2. Size:2423K  vishay
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SIHFPC60

IRFPC60, SiHFPC60Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 210COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 26 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compl

 0.1. Size:658K  vishay
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SIHFPC60

IRFPC60LC, SiHFPC60LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600Available Reduced Gate Drive RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 29 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 48 Repetitive

 0.2. Size:653K  vishay
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SIHFPC60

IRFPC60LC, SiHFPC60LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 600Available Reduced Gate Drive RequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, CrssQg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 29 Dynamic dV/dt RatedQgd (nC) 48 Repetitive

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2N6800SM | BLM05N03-D

 

 
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