SIHFPC60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPC60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFPC60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPC60 даташит

 ..1. Size:2429K  vishay
irfpc60pbf sihfpc60.pdfpdf_icon

SIHFPC60

IRFPC60, SiHFPC60 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 26 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compl

 ..2. Size:2423K  vishay
irfpc60 sihfpc60.pdfpdf_icon

SIHFPC60

IRFPC60, SiHFPC60 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 210 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 26 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Compl

 0.1. Size:658K  vishay
sihfpc60lc.pdfpdf_icon

SIHFPC60

IRFPC60LC, SiHFPC60LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 600 Available Reduced Gate Drive Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, Crss Qg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 29 Dynamic dV/dt Rated Qgd (nC) 48 Repetitive

 0.2. Size:653K  vishay
irfpc60lc sihfpc60lc.pdfpdf_icon

SIHFPC60

IRFPC60LC, SiHFPC60LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 600 Available Reduced Gate Drive Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* COMPLIANT Reduced Ciss, Coss, Crss Qg (Max.) (nC) 120 Isolated Central Mounting Hole Qgs (nC) 29 Dynamic dV/dt Rated Qgd (nC) 48 Repetitive

Другие IGBT... SIHFP448, SIHFP460N, SIHFP9140, SIHFP9240, SIHFPC40, SIHFPC50, SIHFPC50A, SIHFPC50LC, NCEP15T14, SIHFPC60LC, SIHFPE30, SIHFPE40, SIHFPE50, SIHFPF30, SIHFPF40, SIHFPF50, SIHFPG30