SIHFPE50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFPE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFPE50

SIHFPE50 Datasheet (PDF)

..1. Size:1610K vishay
irfpe50 sihfpe50.pdf

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

..2. Size:1616K vishay
sihfpe50.pdf

..3. Size:1615K infineon
irfpe50 sihfpe50.pdf

8.1. Size:1531K vishay
sihfpe40.pdf

IRFPE40, SiHFPE40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Complia

8.2. Size:1527K vishay
sihfpe30.pdf

IRFPE30, SiHFPE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 9.6 Ease of ParallelingQgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

8.3. Size:1520K vishay
irfpe30 sihfpe30.pdf