SIHFPE50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPE50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFPE50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPE50 даташит

 ..1. Size:1610K  vishay
irfpe50 sihfpe50.pdfpdf_icon

SIHFPE50

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

 ..2. Size:1616K  vishay
sihfpe50.pdfpdf_icon

SIHFPE50

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

 ..3. Size:1615K  infineon
irfpe50 sihfpe50.pdfpdf_icon

SIHFPE50

IRFPE50, SiHFPE50 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 24 Qgd (nC) 110 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements Complian

 8.1. Size:1531K  vishay
sihfpe40.pdfpdf_icon

SIHFPE50

IRFPE40, SiHFPE40 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 17 Qgd (nC) 72 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D Complia

Другие IGBT... SIHFPC40, SIHFPC50, SIHFPC50A, SIHFPC50LC, SIHFPC60, SIHFPC60LC, SIHFPE30, SIHFPE40, TK10A60D, SIHFPF30, SIHFPF40, SIHFPF50, SIHFPG30, SIHFPG40, SIHFPG50, SIHFPS37N50A, SIHFPS38N60L