SIHFPE50 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHFPE50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHFPE50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 38 ns
   Выходная емкость (Cd): 800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFPE50

SIHFPE50 Datasheet (PDF)

..1. Size:1610K vishay
irfpe50 sihfpe50.pdf

IRFPE50, SiHFPE50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

..2. Size:1616K vishay
sihfpe50.pdf

..3. Size:1615K infineon
irfpe50 sihfpe50.pdf

8.1. Size:1531K vishay
sihfpe40.pdf

IRFPE40, SiHFPE40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 17Qgd (nC) 72 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Complia

8.2. Size:1527K vishay
sihfpe30.pdf

IRFPE30, SiHFPE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatedVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 9.6 Ease of ParallelingQgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

8.3. Size:1520K vishay
irfpe30 sihfpe30.pdf