SIHFPF40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFPF40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFPF40

SIHFPF40 Datasheet (PDF)

..1. Size:1633K vishay
irfpf40 sihfpf40.pdf

IRFPF40, SiHFPF40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.5 Isolated Central Mounting HoleRoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 16 Ease of ParallelingQgd (nC) 67 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

..2. Size:1640K vishay
irfpf40pbf sihfpf40.pdf

..3. Size:1638K infineon
irfpf40 sihfpf40.pdf

8.1. Size:1466K vishay
irfpf50 sihfpf50.pdf

IRFPF50, SiHFPF50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.6RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 200COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 24 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

8.2. Size:1495K vishay
irfpf30 sihfpf30.pdf

IRFPF30, SiHFPF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 78 Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

8.3. Size:1501K vishay
irfpf30pbf sihfpf30.pdf