SIHFPG50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFPG50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFPG50

SIHFPG50 Datasheet (PDF)

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irfpg50 sihfpg50.pdf

IRFPG50, SiHFPG50Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 190 Fast SwitchingQgs (nC) 23Qgd (nC) 110 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Compliant to RoHS Directive 2002/9

..2. Size:1088K vishay
sihfpg50.pdf

8.1. Size:1740K vishay
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IRFPG30, SiHFPG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 80 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Complian

8.2. Size:1733K vishay
irfpg30 sihfpg30.pdf

8.3. Size:1596K vishay
irfpg40 sihfpg40.pdf

IRFPG40, SiHFPG40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.5RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 16Qgd (nC) 65 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements Complian

8.4. Size:1602K vishay
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