SIHFPS37N50A Todos los transistores

 

SIHFPS37N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFPS37N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPER-247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIHFPS37N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  vishay
 sihfps37n50a.pdf pdf_icon

SIHFPS37N50A

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur

 ..2. Size:177K  vishay
 irfps37n50a sihfps37n50a.pdf pdf_icon

SIHFPS37N50A

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur

 ..3. Size:176K  infineon
 irfps37n50a sihfps37n50a.pdf pdf_icon

SIHFPS37N50A

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur

 7.1. Size:185K  vishay
 irfps38n60l sihfps38n60l.pdf pdf_icon

SIHFPS37N50A

IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHFPE40 , SIHFPE50 , SIHFPF30 , SIHFPF40 , SIHFPF50 , SIHFPG30 , SIHFPG40 , SIHFPG50 , STP80NF70 , SIHFPS38N60L , SIHFPS40N50L , SIHFPS40N60K , SIHFPS43N50K , SIHFR010 , SIHFR014 , SIHFR020 , SIHFR024 .

 

 
Back to Top

 


 
.