SIHFPS38N60L Todos los transistores

 

SIHFPS38N60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFPS38N60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SUPER-247
 

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SIHFPS38N60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  vishay
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SIHFPS38N60L

IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness

 ..2. Size:187K  vishay
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SIHFPS38N60L

IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness

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SIHFPS38N60L

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur

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SIHFPS38N60L

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur

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History: PK8B0BA | KUK129-50DL | HM4630D | AP2P052Y

 

 
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