SIHFPS38N60L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFPS38N60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SUPER-247

Аналог (замена) для SIHFPS38N60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFPS38N60L даташит

 ..1. Size:185K  vishay
 irfps38n60l sihfps38n60l.pdf pdf_icon

SIHFPS38N60L

IRFPS38N60L, SiHFPS38N60L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 600 Available External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.12 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 320 Requirements Qgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 ..2. Size:187K  vishay
 irfps38n60l irfps38n60lpbf sihfps38n60l.pdf pdf_icon

SIHFPS38N60L

IRFPS38N60L, SiHFPS38N60L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 600 Available External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.12 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 320 Requirements Qgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 7.1. Size:178K  vishay
 sihfps37n50a.pdf pdf_icon

SIHFPS38N60L

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 71 and Cur

 7.2. Size:177K  vishay
 irfps37n50a sihfps37n50a.pdf pdf_icon

SIHFPS38N60L

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (Max.) ( )VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 71 and Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFPE50, SIHFPF30, SIHFPF40, SIHFPF50, SIHFPG30, SIHFPG40, SIHFPG50, SIHFPS37N50A, 5N60, SIHFPS40N50L, SIHFPS40N60K, SIHFPS43N50K, SIHFR010, SIHFR014, SIHFR020, SIHFR024, SIHFR110