SIHFPS38N60L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHFPS38N60L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 320 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 740 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: SUPER-247
Аналог (замена) для SIHFPS38N60L
SIHFPS38N60L Datasheet (PDF)
irfps38n60l sihfps38n60l.pdf
IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness
irfps38n60l irfps38n60lpbf sihfps38n60l.pdf
IRFPS38N60L, SiHFPS38N60LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 600AvailableExternal Diodes in ZVS ApplicationsRDS(on) ()VGS = 10 V 0.12RoHS* Lower Gate Charge Results in Simple DriveCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 320 RequirementsQgs (nC) 85 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedRuggedness
sihfps37n50a.pdf
IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur
irfps37n50a sihfps37n50a.pdf
IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur
irfps37n50a sihfps37n50a.pdf
IRFPS37N50A, SiHFPS37N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 0.13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 180COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 46 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 71and Cur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
